驱动电路计划是功率半导体利用的难点，波及到功率半导体的静态进程把持及器件的维护，实际性很强。为了便利实现牢靠的驱动计划，英飞凌的驱动集成电路自带了一些主要的功效，本系列文章讲具体讲授怎样准确懂得跟利用这些功效。本文援用地点：自举电路在电平位移驱动电路利用很普遍，电路十分简略，本钱低，并且有良多现实案例能够抄功课。不外，因为体系每每存在特别或极其工况，如计划不当调制频率或占空比缺乏以革新自举电容器上电荷，电容上的电压不敷，低于低电压封闭值UVLO，这时间就呈现了体系毛病，重大时会破坏体系。上一篇《驱动电路计划（四）---驱动器的自举电源综述》是基于书籍常识的综述，曾经提到这些成绩，接上去会参考英飞凌的数据手册跟利用指南停止深刻探讨。本文为了简化成绩，剖析牢固占空比下，即针对一个PWM周期内的计划。自举电路道理图1中为栅极驱动器的高压侧供给非断绝电源的方法是自举拓扑，其由简略的一个自举二极管跟一个自举电容器构成。当下桥IGBT导通时给自举电容充电到VBS，而鄙人桥关断上桥任务时这个电容给上桥供给电源。电容在高低桥交互开关的进程中实现充放电。在现实驱动器产物中，偶然电平位移驱动电路曾经把二极管集成在IC中，只有外接一个电容即可。图1. 自举电路这种自举电路存在简略、本钱低的长处。电路计划目的是输出电压稳固，假如自举电容上的电压不敷，低于低电压封闭值UVLO，这时间就呈现了体系毛病，重大时会破坏体系。自举电容器(VBS)的最年夜电压取决于图1所示的自举电路的多少个元器件：■ 电阻RBOOT上的压降；■ 自举二极管的VF、低边侧开打开的压降（VCEON或VFP，取决于流经开关的电流偏向）；■ 以及低边侧开关发射极跟直流母线之间的分流取样电阻（图1中未表现）上的压降（假如存在）。自举电路剖析在研讨半桥拓扑中应用的自举电路元器件取值巨细细节之前，须要懂得一些基本常识，为此咱们引入简化等效电路有助于剖析加深懂得（见图2）。电容Cboot右边是弥补电荷的电路，而左边局部是会耗费失落电荷的电路。图2. 自举电路的等效电路自举等效电路（如图2所示）简化了VBS特征作为调制开关S1开关状况函数的盘算，也简化其与占空比D、栅极电荷QG、泄电流Ileak以及自举电阻Rboot跟自举电容Cboot的盘算。VBS: 自举电容器Cboot上的电压VBSMAX:皇冠足球登录 代表电源电压（图1中的VCC）加上或减去自举电路的静态电压降D=占空比=T(ON)/T 稳态 进程盘算：即一个PWM周期内的VBS行动在本文探讨中，开关S1的占空比假设为已到达稳固状况，并将坚持恒定。后续的文章章节再进一步探讨空间矢量调制下，占空比随时光变更时要斟酌的一些要素。自举电容器Cboot上发生的电压VBS个别由两个局部构成（如图2所示）。第一个是幻想开关（也是半桥电路中的下桥臂）(S1)接通(TON)时期自举电阻上发生的压降。第二个是叠加纹波，是体系开关特征的特点。交换纹波的巨细重要由自举电容器的容量决议，能够在S1关断（TOFF）时盘算。鄙人面探讨的其他局部，VBSMAX被界说为VBS的可能的最年夜值，图2中的电压源就取最年夜值VBSMAX。自举电阻驱动电源能否充足年夜用电荷来描写比功率更直接，由于负载是MOS型器件的栅极电荷，在开关时期 (TS)电源(VBSMAX)向电路供给的总电荷量QTOT如下公式所示。